НОВОСТИ О ФТОРОПЛАСТАХ

Компания HEW-KABEL (Германия) использует фторопласты Chemours Teflon™ для изготовления триаксиальных кабелей измерительных приборов высокой точности.

Такие кабели используются, например, для емкостных датчиков ф. Micro-Epsilon. Датчики разработаны для бесконтактного измерения расстояния и расположения, гарантируют выдающуюся точность и стабильность.
Благодаря комбинации в структуре двух типов фторопластов Teflon™, триаксиальные кабели NEW-KABEL имеют очень хорошие электрические свойства, и в частности, чрезвычайно низкое шумовое напряжение. Они, таким образом, способствуют высокой точности измерения - до 0,2 нм. Это число приблизительно соответствует диаметру атома цезия. Типичные области применения кабелей включают промышленную автоматизацию технологий обработки полупроводников и фотолитографии.

Специальной особенностью этих кабелей является объединение основного слоя пленки ПТФЭ (669 Н Teflon™ X) и тефлона FEP. Эти материалы обладают хорошими физико-механическими свойствами и могут быть разъединены механически. Внутренним изолирующим материалом является сополимер тетрафторэтилена с гексафторпропиленом - тефлон FEP 100X от Chemours, наносимый на жилу экструзией расплава. Этот материал не содержит добавок, имеет очень высокую химическую стойкость и температурную стабильность, хорошие электрические свойства и относительно низкую диэлектрическую постоянную. Он также имеет низкое газовыделение, что особенно важно для применения в вакууме или чистом помещении. Благодаря превосходным свойствам обрабатываемости из Teflon™ FEP 100 X могут быть произведены изолирующие слои  с низкими толщинами стенок и очень маленькими диаметрами.

Обе марки Teflon™, используемых фирмой HEW-KABEL имеют чрезвычайно низкую воспламеняемость. Триаксиальные кабели, произведенные из них, классифицируются как UL 444 в самой высокой категории противопожарной защиты CMP. Они известны своим очень высоким замедлением горения и низким дымообразованием.

Примером применения емкостных датчиков от Micro-Epsilon, является система для измерения толщины кремниевых пластин в производстве фотогальванических ячеек или полупроводников. Пластина измеряется для придания прямоты. После распиливания пластина подвергается сложному этапу машинной обработки для достижения оптимальной планарности. С пластиной полупроводника с толщиной, например, 900 μm, прямота должна быть в диапазоне не более 5 нм. В течение различных шагов обработки от напуска и гравировки до полировки, пластина должна несколько раз исследоваться.